на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.73 грн |
| 10+ | 94.76 грн |
| 100+ | 64.08 грн |
| 500+ | 54.29 грн |
| 1000+ | 44.29 грн |
| 2500+ | 39.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD131P10TL ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RSD131P10TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RSD131P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |