RSD160P05TL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 214+ | 66.21 грн |
| 250+ | 63.55 грн |
| 500+ | 61.26 грн |
| 1000+ | 57.14 грн |
| 2500+ | 51.35 грн |
| 5000+ | 47.97 грн |
| 10000+ | 46.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD160P05TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSD160P05TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RSD160P05TL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RSD160P05TL | ROHM |
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSD160P05TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSD160P05TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RSD160P05TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)