RSD160P05TL Rohm Semiconductor
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 254+ | 48.22 грн |
| 264+ | 46.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD160P05TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSD160P05TL за ціною від 27.92 грн до 94.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSD160P05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH Si 45V 16A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSD160P05TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSD160P05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSD160P05TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 14348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSD160P05TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSD160P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RSD160P05TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
RSD160P05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |