RSD200N05TL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 531+ | 26.64 грн |
| 536+ | 26.40 грн |
| 546+ | 25.93 грн |
| 1000+ | 24.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD200N05TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: CPT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RSD200N05TL за ціною від 25.38 грн до 63.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSD200N05TL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RSD200N05TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: CPT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RSD200N05TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 59.74 грн |
| 250+ | 57.35 грн |
| 500+ | 55.27 грн |
| 1000+ | 51.56 грн |
| RSD200N05TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 50.37 грн |
| 100+ | 39.17 грн |
| 500+ | 31.16 грн |
| 1000+ | 25.38 грн |