RSD200N05TL Rohm Semiconductor


rsd200n05.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
531+27.29 грн
536+27.05 грн
546+26.56 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 531 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSD200N05TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSD200N05TL за ціною від 25.42 грн до 63.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSD200N05TL RSD200N05TL Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+61.21 грн
250+58.75 грн
500+56.63 грн
1000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.65 грн
10+50.46 грн
100+39.24 грн
500+31.21 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL rsd200n05.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+61.21 грн
250+58.75 грн
500+56.63 грн
1000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL rsd200n05.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.65 грн
10+50.46 грн
100+39.24 грн
500+31.21 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.