RSD200N05TL

RSD200N05TL Rohm Semiconductor


rsd200n05.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+23.14 грн
536+22.94 грн
546+22.53 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSD200N05TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSD200N05TL за ціною від 26.56 грн до 66.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSD200N05TL RSD200N05TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+51.91 грн
250+49.83 грн
500+48.03 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.48 грн
10+52.70 грн
100+40.98 грн
500+32.60 грн
1000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Виробник : ROHM Semiconductor rsd200n05.pdf MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.