RSE002P03TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSE002P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 1.4 ohm, EMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 200, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).