Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSF010P05TL
RSF010P05TL

RSF010P05TL Rohm Semiconductor

rsf010p05tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.00 грн
6000+10.06 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSF010P05TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm.

Інші пропозиції RSF010P05TL за ціною від 11.12 грн до 68.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSF010P05TL RSF010P05TL Rohm Semiconductor rsf010p05tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 12524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
12+26.85 грн
100+18.68 грн
500+13.69 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL RSF010P05TL ROHM rsf010p05tl-e.pdf Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.54 грн
25+33.18 грн
100+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL RSF010P05TL ROHM Semiconductor rsf010p05tl-e-1873305.pdf MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
RSF010P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 12524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
12+26.85 грн
100+18.68 грн
500+13.69 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
RSF010P05TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.54 грн
25+33.18 грн
100+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL rsf010p05tl-e-1873305.pdf
RSF010P05TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSF010P05TL rsf010p05tl-e.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.