RSF015N06FRATL

RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor


rsf015n06fra-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSF015N06FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSF015N06FRATL за ціною від 6.40 грн до 40.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSF015N06FRATL RSF015N06FRATL Виробник : ROHM rsf015n06fra-e.pdf Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.92 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06FRATL RSF015N06FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsf015n06fra-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
13+23.83 грн
100+15.17 грн
500+10.72 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06FRATL RSF015N06FRATL Виробник : ROHM rsf015n06fra-e.pdf Description: ROHM - RSF015N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.09 грн
50+26.16 грн
100+16.92 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06FRATL RSF015N06FRATL Виробник : ROHM Semiconductor rsf015n06fra-e.pdf MOSFETs Nch 60V Vds 1.5A 0.255Rds(on) 2Qg
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.77 грн
13+26.57 грн
100+11.33 грн
1000+9.56 грн
3000+7.65 грн
9000+6.55 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06fra-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsf015n06fra-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.