RSF015N06TL Rohm Semiconductor


rsf015n06tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.65 грн
6000+8.94 грн
9000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSF015N06TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSF015N06TL за ціною від 8.01 грн до 37.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSF015N06TL RSF015N06TL ROHM Semiconductor rsf015n06tl-e.pdf MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
на замовлення 12899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
14+23.50 грн
100+15.12 грн
500+11.94 грн
1000+10.29 грн
3000+8.56 грн
9000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL RSF015N06TL Rohm Semiconductor rsf015n06tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 15090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
12+24.98 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
на замовлення 12899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.00 грн
14+23.50 грн
100+15.12 грн
500+11.94 грн
1000+10.29 грн
3000+8.56 грн
9000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 15090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.28 грн
12+24.98 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.