RSF015N06TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.75 грн |
| 6000+ | 9.03 грн |
| 9000+ | 8.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSF015N06TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSF015N06TL за ціною від 8.42 грн до 43.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSF015N06TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSF015N06TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V |
на замовлення 15090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSF015N06TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch |
на замовлення 12899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSF015N06TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RSF015N06TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| RSF015N06TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A |
товару немає в наявності |