Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSH065N06GZETB
RSH065N06GZETB

RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor

rsh065n06.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+58.31 грн
250+55.97 грн
500+53.95 грн
1000+50.32 грн
2500+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSH065N06GZETB за ціною від 34.06 грн до 103.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.39 грн
500+49.71 грн
1000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+74.33 грн
100+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : ROHM Semiconductor rsh065n06.pdf MOSFETs MOSFET Nch 60V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.00 грн
10+73.44 грн
100+50.54 грн
500+45.39 грн
1000+38.48 грн
2500+35.02 грн
5000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.