RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 210+ | 61.83 грн |
| 250+ | 59.34 грн |
| 500+ | 57.20 грн |
| 1000+ | 53.36 грн |
| 2500+ | 47.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSH065N06GZETB за ціною від 30.75 грн до 89.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSH065N06GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSH065N06GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs MOSFET Nch 60V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSH065N06GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
RSH065N06GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
