Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSH065N06TB1
RSH065N06TB1

RSH065N06TB1 Rohm Semiconductor

rsh065n06.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSH065N06TB1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSH065N06TB1 за ціною від 36.37 грн до 150.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+53.66 грн
250+51.51 грн
500+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+103.86 грн
148+82.77 грн
200+70.43 грн
500+58.22 грн
1000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : ROHM Semiconductor rsh065n06.pdf MOSFETs Nch 60V 6.5A MOSFET
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.59 грн
10+83.58 грн
100+55.82 грн
250+55.75 грн
500+46.77 грн
1000+38.82 грн
2500+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.16 грн
10+92.10 грн
100+62.12 грн
500+46.25 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 rsh065n06.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06TB1 RSH065N06TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsh065n06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.