RSH070P05GZETB

RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor


rsh070p05-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.24 грн
5000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSH070P05GZETB за ціною від 66.03 грн до 175.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM ROHM-S-A0002428260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.82 грн
500+90.40 грн
1000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 45V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+150.30 грн
118+103.66 грн
500+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002428260_1-2561679.pdf MOSFET 4V Drive Pch MOSFET
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.79 грн
10+145.79 грн
100+101.87 грн
250+97.34 грн
500+84.52 грн
1000+70.86 грн
2500+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.42 грн
10+118.77 грн
100+99.88 грн
500+78.22 грн
1000+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM rsh070p05-e.pdf Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.23 грн
50+126.13 грн
100+116.82 грн
500+90.40 грн
1000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsh070p05-e.pdf RSH070P05GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.