RSH070P05GZETB

RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor


rsh070p05-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.47 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSH070P05GZETB за ціною від 54.87 грн до 202.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM ROHM-S-A0002428260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.87 грн
500+64.79 грн
1000+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 45V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+171.49 грн
118+118.34 грн
250+113.60 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 5922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.67 грн
10+119.63 грн
100+82.49 грн
500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM Semiconductor rsh070p05-e.pdf MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.02 грн
10+129.55 грн
100+77.89 грн
500+64.60 грн
1000+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Виробник : ROHM ROHM-S-A0002428260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.83 грн
50+131.43 грн
100+90.87 грн
500+64.79 грн
1000+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.