RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 65.55 грн |
| 5000+ | 62.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSH070P05GZETB за ціною від 64.37 грн до 170.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSH070P05GZETB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSH070P05GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 45V 7A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSH070P05GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET |
на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSH070P05GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSH070P05GZETB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSH070P05GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RSH070P05GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |