
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.26 грн |
10+ | 71.83 грн |
100+ | 48.63 грн |
500+ | 41.27 грн |
1000+ | 33.62 грн |
2500+ | 31.56 грн |
5000+ | 29.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSH090N03TB1 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A SOP8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSH090N03TB1 за ціною від 31.28 грн до 115.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSH090N03TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSH090N03TB1 |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
RSH090N03TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |