RSJ151P10TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 47.16 грн |
| 2000+ | 41.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ151P10TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції RSJ151P10TL за ціною від 37.42 грн до 192.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSJ151P10TL | ROHM |
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RSJ151P10TL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RSJ151P10TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTSInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RSJ151P10TL | ROHM |
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 76.92 грн |
| RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.86 грн |
| 10+ | 95.27 грн |
| 100+ | 58.68 грн |
| 500+ | 46.67 грн |
| 1000+ | 42.11 грн |
| 2000+ | 37.97 грн |
| 5000+ | 37.42 грн |
| RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.11 грн |
| 10+ | 91.84 грн |
| 100+ | 62.19 грн |
| 500+ | 46.45 грн |
| RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 192.49 грн |
| 10+ | 124.03 грн |
| 100+ | 76.92 грн |




