Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSJ151P10TL
RSJ151P10TL

RSJ151P10TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+47.92 грн
2000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ151P10TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції RSJ151P10TL за ціною від 39.64 грн до 151.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.75 грн
171+83.65 грн
196+72.74 грн
206+66.82 грн
500+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor rsj151p10-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.86 грн
123+116.40 грн
250+111.74 грн
500+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 644 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+136.51 грн
10+100.92 грн
100+62.16 грн
500+49.44 грн
1000+44.61 грн
2000+40.22 грн
5000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.18 грн
10+93.29 грн
100+63.19 грн
500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL ROHM datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL ROHM datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL rsj151p10-e.pdf
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+88.75 грн
171+83.65 грн
196+72.74 грн
206+66.82 грн
500+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL rsj151p10-e.pdf
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+121.86 грн
123+116.40 грн
250+111.74 грн
500+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 644 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.51 грн
10+100.92 грн
100+62.16 грн
500+49.44 грн
1000+44.61 грн
2000+40.22 грн
5000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.18 грн
10+93.29 грн
100+63.19 грн
500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.