Продукція > ROHM > RSJ250P10FRATL
RSJ250P10FRATL

RSJ250P10FRATL ROHM

2311812.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+72.75 грн
3000+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10FRATL ROHM

Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSJ250P10FRATL за ціною від 53.83 грн до 200.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.18 грн
200+91.67 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.01 грн
116+110.07 грн
126+101.18 грн
200+97.27 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.52 грн
10+97.45 грн
50+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.03 грн
10+121.44 грн
50+95.14 грн
100+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.85 грн
10+128.56 грн
100+79.13 грн
500+63.35 грн
1000+58.35 грн
2000+55.58 грн
5000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.54 грн
10+118.10 грн
100+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.12 грн
10+139.64 грн
50+119.18 грн
200+91.67 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM - Japan datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.