RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.17 грн
3000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції RSJ250P10FRATL за ціною від 55.41 грн до 205.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.70 грн
116+123.67 грн
126+113.68 грн
200+109.28 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.05 грн
10+100.08 грн
12+80.23 грн
33+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.16 грн
10+117.84 грн
50+89.85 грн
100+75.84 грн
500+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 9640 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+205.22 грн
10+100.30 грн
100+78.42 грн
500+62.67 грн
1000+57.76 грн
2000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM 2311812.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.70 грн
116+123.67 грн
126+113.68 грн
200+109.28 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Gate charge: 60nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.05 грн
10+100.08 грн
12+80.23 грн
33+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.16 грн
10+117.84 грн
50+89.85 грн
100+75.84 грн
500+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 9640 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.22 грн
10+100.30 грн
100+78.42 грн
500+62.67 грн
1000+57.76 грн
2000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL 2311812.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.