Продукція > ROHM > RSJ250P10FRATL
RSJ250P10FRATL

RSJ250P10FRATL ROHM

2311812.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10FRATL ROHM

Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSJ250P10FRATL за ціною від 51.24 грн до 173.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.51 грн
200+85.68 грн
500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.30 грн
116+106.00 грн
126+97.44 грн
200+93.66 грн
500+73.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.29 грн
10+99.83 грн
12+78.60 грн
33+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.30 грн
10+108.16 грн
100+78.05 грн
500+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 14055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.99 грн
10+118.89 грн
100+75.31 грн
500+60.29 грн
1000+55.46 грн
2000+52.90 грн
5000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92D81F70BFC400D3&compId=rsj250p10fratl.pdf?ci_sign=c9a0a8e0154c5fbc2fc45de6b1cbfbfd726f49a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.55 грн
10+124.40 грн
12+94.33 грн
33+89.61 грн
200+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.53 грн
10+121.90 грн
50+107.51 грн
200+85.68 грн
500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM - Japan rsj250p10fratl-e.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.