Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSJ250P10TL
RSJ250P10TL

RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+99.98 грн
3000+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.

Інші пропозиції RSJ250P10TL за ціною від 75.01 грн до 306.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+156.78 грн
103+142.20 грн
126+116.19 грн
200+104.77 грн
500+96.69 грн
1000+82.51 грн
2000+76.99 грн
4000+75.01 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+161.49 грн
94+155.33 грн
100+150.06 грн
250+140.32 грн
500+126.39 грн
1000+118.36 грн
2500+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+276.96 грн
55+266.41 грн
100+257.37 грн
250+240.65 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.74 грн
10+180.65 грн
50+139.85 грн
100+118.91 грн
500+98.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+306.81 грн
10+154.20 грн
100+120.75 грн
500+100.75 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+156.78 грн
103+142.20 грн
126+116.19 грн
200+104.77 грн
500+96.69 грн
1000+82.51 грн
2000+76.99 грн
4000+75.01 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+161.49 грн
94+155.33 грн
100+150.06 грн
250+140.32 грн
500+126.39 грн
1000+118.36 грн
2500+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+276.96 грн
55+266.41 грн
100+257.37 грн
250+240.65 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.74 грн
10+180.65 грн
50+139.85 грн
100+118.91 грн
500+98.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.81 грн
10+154.20 грн
100+120.75 грн
500+100.75 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.