RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 94.03 грн |
| 2000+ | 86.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSJ250P10TL за ціною від 62.60 грн до 256.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 6743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RSJ250P10TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 9603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RSJ250P10TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RSJ250P10TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE |
на замовлення 6170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| RSJ250P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK |
товару немає в наявності |