RSJ250P10TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+95.91 грн
2000+86.39 грн
3000+83.36 грн
5000+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSJ250P10TL за ціною від 86.98 грн до 297.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.91 грн
200+127.14 грн
500+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+173.07 грн
100+105.62 грн
500+93.89 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+173.28 грн
100+121.55 грн
500+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.19 грн
10+194.91 грн
50+165.91 грн
200+127.14 грн
500+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+165.91 грн
200+127.14 грн
500+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.39 грн
10+173.07 грн
100+105.62 грн
500+93.89 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.93 грн
10+173.28 грн
100+121.55 грн
500+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.19 грн
10+194.91 грн
50+165.91 грн
200+127.14 грн
500+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.