RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.56 грн |
| 2000+ | 75.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSJ301N10FRATL за ціною від 78.83 грн до 268.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSJ301N10FRATL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RSJ301N10FRATL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RSJ301N10FRATL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 247.83 грн |
| 10+ | 155.54 грн |
| 100+ | 108.17 грн |
| 500+ | 82.52 грн |
| RSJ301N10FRATL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg
MOSFETs Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.89 грн |
| 10+ | 172.67 грн |
| 100+ | 104.35 грн |
| 500+ | 85.58 грн |
| 1000+ | 78.83 грн |