на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.10 грн |
| 10+ | 165.59 грн |
| 100+ | 109.71 грн |
| 500+ | 105.90 грн |
| 1000+ | 96.76 грн |
| 2000+ | 89.90 грн |
| 5000+ | 86.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ301N10TL ROHM Semiconductor
Description: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RSJ301N10TL за ціною від 136.71 грн до 308.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSJ301N10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RSJ301N10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |