RSJ400N10TL Rohm Semiconductor


rsj400n10tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.76 грн
10+213.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ400N10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: LPTS, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції RSJ400N10TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ400N10TL RSJ400N10TL ROHM Semiconductor rsj400n10tl-e.pdf MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.