Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSJ550N10TL
RSJ550N10TL

RSJ550N10TL Rohm Semiconductor

rsj550n10.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.78 грн
10+251.35 грн
100+179.62 грн
500+139.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ550N10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RSJ550N10TL за ціною від 131.04 грн до 402.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Виробник : ROHM Semiconductor rsj550n10.pdf MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.41 грн
10+264.15 грн
100+183.00 грн
500+162.67 грн
1000+131.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsj550n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj550n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 18.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 110A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.