Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSJ650N10TL
RSJ650N10TL

RSJ650N10TL Rohm Semiconductor

rsj650n10-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.11 грн
10+351.80 грн
100+265.41 грн
500+224.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ650N10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSJ650N10TL за ціною від 223.58 грн до 519.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Виробник : ROHM Semiconductor rsj650n10-e.pdf MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.85 грн
10+397.45 грн
100+282.62 грн
500+262.94 грн
1000+223.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsj650n10-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.