RSL020P03TR ROHM Semiconductor
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.60 грн |
| 10+ | 42.71 грн |
| 100+ | 25.42 грн |
| 500+ | 19.97 грн |
| 1000+ | 16.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSL020P03TR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSL020P03TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RSL020P03TR |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
RSL020P03TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |