Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSL020P03TR
RSL020P03TR

RSL020P03TR Rohm Semiconductor

RSL020P03.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.43 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSL020P03TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TUMT6, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSL020P03TR за ціною від 12.48 грн до 48.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSL020P03TR RSL020P03TR Виробник : Rohm Semiconductor RSL020P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
на замовлення 8261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
10+32.80 грн
100+22.80 грн
500+16.71 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSL020P03TR RSL020P03TR Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32378-1.pdf MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2A
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.80 грн
10+41.86 грн
100+27.23 грн
500+21.36 грн
1000+16.44 грн
3000+13.36 грн
9000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSL020P03TR RSL020P03.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSL020P03TR RSL020P03TR Виробник : Rohm Semiconductor RSL020P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.