RSM002N06T2L ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 6.72 грн |
| 1000+ | 4.94 грн |
| 4000+ | 4.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSM002N06T2L ROHM
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RSM002N06T2L за ціною від 4.42 грн до 24.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSM002N06T2L | ROHM |
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RSM002N06T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSM002N06T2L | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A |
на замовлення 282567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RSM002N06T2L |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSM002N06T2L |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 22.39 грн |
| 82+ | 9.83 грн |
| 250+ | 6.72 грн |
| 1000+ | 4.94 грн |
| 4000+ | 4.47 грн |
| RSM002N06T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.08 грн |
| 22+ | 14.13 грн |
| 100+ | 8.89 грн |
| 500+ | 6.19 грн |
| 1000+ | 5.49 грн |
| 2000+ | 4.91 грн |
| RSM002N06T2L |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 282567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 24.24 грн |
| 26+ | 12.46 грн |
| 100+ | 7.25 грн |
| 500+ | 5.87 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 2500+ | 4.56 грн |
| 5000+ | 4.42 грн |



