RSM002N06T2L

RSM002N06T2L Rohm Semiconductor


rsm002n06-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.03 грн
16000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSM002N06T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSM002N06T2L за ціною від 3.46 грн до 27.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSM002N06T2L RSM002N06T2L Виробник : ROHM 3737648.pdf Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.52 грн
1000+4.14 грн
4000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002N06T2L RSM002N06T2L Виробник : ROHM Semiconductor rsm002n06-e.pdf MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
на замовлення 378649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.43 грн
26+13.37 грн
100+6.25 грн
1000+5.00 грн
8000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002N06T2L RSM002N06T2L Виробник : ROHM 3737648.pdf Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.55 грн
96+8.67 грн
250+6.52 грн
1000+4.14 грн
4000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002N06T2L RSM002N06T2L Виробник : Rohm Semiconductor rsm002n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 28004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
20+16.09 грн
100+10.12 грн
500+7.05 грн
1000+6.25 грн
2000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002N06T2L rsm002n06-e.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSM002N06T2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsm002n06-e.pdf RSM002N06T2L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.