RSM002N06T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 3.60 грн |
| 16000+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSM002N06T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSM002N06T2L за ціною від 3.26 грн до 22.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSM002N06T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSM002N06T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 25288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RSM002N06T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSM002N06T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RSM002N06T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A |
на замовлення 305133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RSM002N06T2L |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RSM002N06T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3 Case: VMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 12Ω Power dissipation: 0.15W Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| RSM002N06T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3 Case: VMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 12Ω Power dissipation: 0.15W Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |