Продукція > ROHM > RSQ015P10FRATR
RSQ015P10FRATR

RSQ015P10FRATR ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.42 грн
500+36.92 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ015P10FRATR ROHM

Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSQ015P10FRATR за ціною від 29.78 грн до 85.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ015P10FRATR RSQ015P10FRATR Виробник : ROHM Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.62 грн
13+64.13 грн
100+47.42 грн
500+36.92 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10FRATR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10FRATR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.