
RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.47 грн |
6000+ | 19.61 грн |
9000+ | 18.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSQ015P10HZGTR за ціною від 18.76 грн до 56.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RSQ015P10HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
RSQ015P10HZGTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |