RSQ020N03FRATR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
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Технічний опис RSQ020N03FRATR ROHM
Description: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm.
Інші пропозиції RSQ020N03FRATR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RSQ020N03FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RSQ020N03FRATR |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
Description: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)