Продукція > ROHM > RSQ020N03HZGTR
RSQ020N03HZGTR

RSQ020N03HZGTR ROHM

rsq020n03hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.77 грн
500+17.32 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ020N03HZGTR ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ020N03HZGTR за ціною від 11.81 грн до 70.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.30 грн
21+40.85 грн
100+27.32 грн
500+16.78 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf MOSFETs Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.86 грн
10+45.60 грн
100+26.63 грн
500+20.45 грн
1000+18.91 грн
3000+14.27 грн
6000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+42.30 грн
100+27.80 грн
500+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq020n03hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq020n03hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.