RSQ020N03TR ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.44 грн |
| 10+ | 44.90 грн |
| 100+ | 27.01 грн |
| 500+ | 22.50 грн |
| 1000+ | 19.19 грн |
| 3000+ | 17.08 грн |
| 6000+ | 16.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSQ020N03TR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSQ020N03TR за ціною від 18.26 грн до 70.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSQ020N03TR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RSQ020N03TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.62 грн |
| 10+ | 42.56 грн |
| 100+ | 27.84 грн |
| 500+ | 20.17 грн |
| 1000+ | 18.26 грн |