Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ025P03HZGTR
RSQ025P03HZGTR

RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq025p03hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+37.57 грн
393+36.07 грн
500+34.76 грн
1000+32.42 грн
2500+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RSQ025P03HZGTR за ціною від 23.37 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.36 грн
500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+49.18 грн
100+32.18 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR ROHM Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf MOSFETs Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET - RSQ025P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR ROHM rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR rsq025p03hzgtr-e.pdf
RSQ025P03HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
351+40.36 грн
500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR rsq025p03hzgtr-e.pdf
RSQ025P03HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+49.18 грн
100+32.18 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR rsq025p03hzgtr-e.pdf
RSQ025P03HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET - RSQ025P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR rsq025p03hzgtr-e.pdf
RSQ025P03HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.