Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ025P03HZGTR
RSQ025P03HZGTR

RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq025p03hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+32.48 грн
393+31.19 грн
500+30.06 грн
1000+28.04 грн
2500+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ025P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ025P03HZGTR за ціною від 18.25 грн до 86.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+34.90 грн
500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : ROHM rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.89 грн
16+54.21 грн
100+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf MOSFETs Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET - RSQ025P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.62 грн
10+56.46 грн
100+32.52 грн
500+25.19 грн
1000+22.60 грн
3000+19.85 грн
6000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.72 грн
10+52.41 грн
100+34.30 грн
500+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : ROHM rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTR RSQ025P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq025p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.