Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ030N08HZGTR
RSQ030N08HZGTR

RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor

rsq030n08hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm.

Інші пропозиції RSQ030N08HZGTR за ціною від 21.62 грн до 57.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSQ030N08HZGTR RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor rsq030n08hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+39.55 грн
100+30.43 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR RSQ030N08HZGTR ROHM Semiconductor rsq030n08hzgtr-e.pdf MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR RSQ030N08HZGTR ROHM rsq030n08hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR rsq030n08hzgtr-e.pdf
RSQ030N08HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.22 грн
10+39.55 грн
100+30.43 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR rsq030n08hzgtr-e.pdf
RSQ030N08HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR rsq030n08hzgtr-e.pdf
RSQ030N08HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.