Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ030N08HZGTR
RSQ030N08HZGTR

RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor

rsq030n08hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ030N08HZGTR за ціною від 18.98 грн до 64.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ030N08HZGTR RSQ030N08HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq030n08hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.16 грн
10+42.27 грн
100+32.52 грн
500+25.46 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR RSQ030N08HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq030n08hzgtr-e.pdf MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 23809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.52 грн
10+45.16 грн
100+30.67 грн
500+26.10 грн
1000+23.70 грн
3000+20.60 грн
6000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq030n08hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.