Продукція > ROHM > RSQ035N03HZGTR
RSQ035N03HZGTR

RSQ035N03HZGTR ROHM

rsq035n03hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ035N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.43 грн
500+22.40 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ035N03HZGTR ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ035N03HZGTR за ціною від 15.05 грн до 66.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ035N03HZGTR RSQ035N03HZGTR Виробник : ROHM rsq035n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.76 грн
21+42.45 грн
100+30.43 грн
500+22.40 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTR RSQ035N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.11 грн
10+42.58 грн
100+30.07 грн
500+23.09 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTR RSQ035N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq035n03hzgtr-e.pdf MOSFETs Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.22 грн
10+40.28 грн
100+26.67 грн
500+23.10 грн
1000+20.74 грн
3000+17.78 грн
6000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+36.04 грн
352+34.60 грн
500+33.35 грн
1000+31.11 грн
2500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTR RSQ035N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.