Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ035P03HZGTR
RSQ035P03HZGTR

RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq035p03hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
531+26.64 грн
534+26.52 грн
597+23.70 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції RSQ035P03HZGTR за ціною від 23.82 грн до 90.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.04 грн
321+44.19 грн
500+42.60 грн
1000+39.73 грн
2500+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.39 грн
10+54.82 грн
100+36.02 грн
500+26.25 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf MOSFETs MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR rsq035p03hzgtr-e.pdf
RSQ035P03HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+46.04 грн
321+44.19 грн
500+42.60 грн
1000+39.73 грн
2500+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR rsq035p03hzgtr-e.pdf
RSQ035P03HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.39 грн
10+54.82 грн
100+36.02 грн
500+26.25 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR rsq035p03hzgtr-e.pdf
RSQ035P03HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR rsq035p03hzgtr-e.pdf
RSQ035P03HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR rsq035p03hzgtr-e.pdf
RSQ035P03HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.