RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 531+ | 26.81 грн |
| 534+ | 26.70 грн |
| 597+ | 23.85 грн |
| 1000+ | 22.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
531 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Інші пропозиції RSQ035P03HZGTR за ціною від 19.67 грн до 93.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSQ035P03HZGTR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RSQ035P03HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RSQ035P03HZGTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T |
на замовлення 5673 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RSQ035P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 4134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RSQ035P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RSQ035P03HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 308+ | 46.35 грн |
| 321+ | 44.49 грн |
| 500+ | 42.88 грн |
| 1000+ | 40.00 грн |
| 2500+ | 35.94 грн |
| RSQ035P03HZGTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.93 грн |
| 10+ | 53.33 грн |
| 100+ | 35.04 грн |
| 500+ | 25.54 грн |
| 1000+ | 23.17 грн |
| RSQ035P03HZGTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.85 грн |
| 10+ | 42.98 грн |
| 100+ | 33.13 грн |
| 500+ | 25.74 грн |
| 1000+ | 24.50 грн |
| 3000+ | 20.70 грн |
| 6000+ | 19.67 грн |
| RSQ035P03HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSQ035P03HZGTR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)