Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSQ035P03HZGTR
RSQ035P03HZGTR

RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq035p03hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+23.81 грн
534+23.71 грн
597+21.18 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ035P03HZGTR за ціною від 20.35 грн до 102.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.33 грн
500+25.87 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+41.15 грн
321+39.50 грн
500+38.08 грн
1000+35.51 грн
2500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.48 грн
10+59.73 грн
100+39.25 грн
500+28.60 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf MOSFETs Automotive Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET. RSQ035P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.55 грн
10+63.55 грн
100+36.57 грн
500+28.51 грн
1000+25.95 грн
3000+23.40 грн
6000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.12 грн
15+63.96 грн
100+42.10 грн
500+30.36 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.