Продукція > ROHM > RSR010N10FHATL
RSR010N10FHATL

RSR010N10FHATL ROHM


ROHM-S-A0009016332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.83 грн
500+36.66 грн
1000+29.39 грн
3000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR010N10FHATL ROHM

Description: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RSR010N10FHATL за ціною від 34.07 грн до 62.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR010N10FHATL RSR010N10FHATL Виробник : ROHM rsr010n10fha-e.pdf Description: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.50 грн
50+57.93 грн
100+53.36 грн
500+42.07 грн
1500+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.