RSR010N10FHATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.06 грн |
| 500+ | 33.71 грн |
| 1000+ | 27.03 грн |
| 3000+ | 24.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR010N10FHATL ROHM
Description: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RSR010N10FHATL за ціною від 31.33 грн до 57.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSR010N10FHATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RSR010N10FHATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4A Case: TSMT3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 0.58Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| RSR010N10FHATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4A Case: TSMT3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 0.58Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |