RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 455+ | 26.77 грн |
| 474+ | 25.69 грн |
| 500+ | 24.77 грн |
| 1000+ | 23.10 грн |
| 2500+ | 20.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSR010N10HZGTL за ціною від 17.32 грн до 83.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSR010N10HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET for Automotive. RSR010N10HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for DC-DC converter applications. |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSR010N10HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSR010N10HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RSR010N10HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RSR010N10HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RSR010N10HZGTL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RSR010N10HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |