RSR010N10HZGTL

RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor


rsr010n10hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSR010N10HZGTL за ціною від 15.21 грн до 48.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
455+25.61 грн
474+ 24.57 грн
500+ 23.69 грн
1000+ 22.09 грн
2500+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 455
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.71 грн
10+ 38.47 грн
100+ 26.65 грн
500+ 20.89 грн
1000+ 17.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf MOSFET Nch 100V 1A Small Signal MOSFET for Automotive. RSR010N10HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for DC-DC converter applications.
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.98 грн
10+ 42.78 грн
100+ 25.37 грн
500+ 21.19 грн
1000+ 18.07 грн
3000+ 16.34 грн
6000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr010n10hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr010n10hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній