Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR010N10HZGTL
RSR010N10HZGTL

RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor

rsr010n10hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+28.45 грн
474+27.30 грн
500+26.32 грн
1000+24.55 грн
2500+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSR010N10HZGTL за ціною від 15.02 грн до 73.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf MOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.22 грн
10+46.45 грн
100+26.83 грн
500+20.82 грн
1000+18.80 грн
3000+16.28 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.90 грн
10+44.44 грн
100+29.10 грн
500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM rsr010n10hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : ROHM rsr010n10hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTL RSR010N10HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr010n10hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.