
RSR020N06FRATL ROHM

Description: ROHM - RSR020N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
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36+ | 23.08 грн |
46+ | 18.15 грн |
100+ | 11.99 грн |
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Технічний опис RSR020N06FRATL ROHM
Description: ROHM - RSR020N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RSR020N06FRATL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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RSR020N06FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
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RSR020N06FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |