Продукція > ROHM > RSR020N06HZGTL
RSR020N06HZGTL

RSR020N06HZGTL ROHM

2864537.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR020N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.18 грн
21+39.81 грн
100+30.53 грн
500+22.37 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR020N06HZGTL ROHM

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSR020N06HZGTL за ціною від 14.66 грн до 69.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR020N06HZGTL RSR020N06HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr020n06hzgtl-e.pdf MOSFETs Nch 60V 2A Small Signal MOSFET. RSR020N06HZG is the high reliability automotive grade transistor, suitable for DC-DC converters.
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.19 грн
10+40.72 грн
100+25.04 грн
500+20.10 грн
1000+18.29 грн
3000+14.73 грн
6000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTL RSR020N06HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr020n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.08 грн
10+41.42 грн
100+26.96 грн
500+19.46 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr020n06hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTL RSR020N06HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr020n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr020n06hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.