Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR020N06TL
RSR020N06TL

RSR020N06TL Rohm Semiconductor

rsr020n06-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR020N06TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSR020N06TL за ціною від 16.23 грн до 64.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR020N06TL RSR020N06TL Виробник : Rohm Semiconductor rsr020n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.31 грн
10+38.61 грн
100+25.01 грн
500+18.00 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL Виробник : ROHM rsr020n06-e.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL RSR020N06TL Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0009016288_1-2563115.pdf MOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 2A 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.