
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.64 грн |
10+ | 41.37 грн |
100+ | 27.59 грн |
500+ | 21.78 грн |
1000+ | 17.44 грн |
3000+ | 15.82 грн |
9000+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR020P03TL ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSR020P03TL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RSR020P03TL |
![]() |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
RSR020P03 TL | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RSR020P03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RSR020P03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |