Продукція > ROHM > RSR020P05HZGTL
RSR020P05HZGTL

RSR020P05HZGTL ROHM


rsr020p05hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR020P05HZGTL ROHM

Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSR020P05HZGTL за ціною від 19.90 грн до 77.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Виробник : ROHM rsr020p05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.21 грн
19+45.63 грн
100+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr020p05hzgtl-e-1873221.pdf MOSFET Pch -45V -2A Small Signal MOSFET. RSR020P05HZG is the high reliability automotive grade transistor, suitable for switching applications.
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.87 грн
10+51.98 грн
100+34.71 грн
500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr020p05hzgtl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.55 грн
10+46.53 грн
100+30.40 грн
500+22.00 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr020p05hzgtl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.