Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR020P05HZGTL
RSR020P05HZGTL

RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.01 грн
6000+15.10 грн
9000+14.45 грн
15000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції RSR020P05HZGTL за ціною від 17.76 грн до 68.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.51 грн
100+27.12 грн
500+19.63 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM rsr020p05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM rsr020p05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSR020P05HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.98 грн
10+41.51 грн
100+27.12 грн
500+19.63 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSR020P05HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL rsr020p05hzgtl-e.pdf
RSR020P05HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTL rsr020p05hzgtl-e.pdf
RSR020P05HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.