RSR025N03FRATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.19 грн |
| 500+ | 16.25 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| 5000+ | 10.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025N03FRATL ROHM
Description: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSR025N03FRATL за ціною від 12.59 грн до 43.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSR025N03FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RSR025N03FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| RSR025N03FRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |