Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR025N03HZGTL
RSR025N03HZGTL

RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor

rsr025n03hzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.93 грн
10+38.71 грн
50+28.48 грн
100+23.60 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції RSR025N03HZGTL за ціною від 13.05 грн до 88.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL ROHM Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf MOSFETs Transistor, Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+75.76 грн
10+34.39 грн
100+26.39 грн
500+20.30 грн
1000+20.01 грн
3000+14.81 грн
9000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL ROHM rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL ROHM rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.76 грн
10+34.39 грн
100+26.39 грн
500+20.30 грн
1000+20.01 грн
3000+14.81 грн
9000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
309+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.