Продукція > ROHM > RSR025N03HZGTL
RSR025N03HZGTL

RSR025N03HZGTL ROHM

rsr025n03hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.47 грн
500+20.38 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR025N03HZGTL ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSR025N03HZGTL за ціною від 13.17 грн до 61.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf MOSFET Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET. RSR025N03HZG is a MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
10+41.96 грн
100+27.22 грн
500+21.41 грн
1000+16.55 грн
3000+15.08 грн
9000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+40.92 грн
100+26.94 грн
500+19.41 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Виробник : ROHM rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.73 грн
20+43.08 грн
100+28.47 грн
500+20.38 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr025n03hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsr025n03hzgtl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.