RSR025N05TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025N05TL Rohm Semiconductor
Description: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSR025N05TL за ціною від 20.24 грн до 112.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSR025N05TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOT346 N-CH 45V 2.5A |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSR025N05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V |
на замовлення 5583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|