на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.60 грн |
| 10+ | 62.23 грн |
| 100+ | 35.87 грн |
| 500+ | 28.18 грн |
| 1000+ | 25.46 грн |
| 3000+ | 22.36 грн |
| 6000+ | 20.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025N05TL ROHM Semiconductor
Description: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSR025N05TL за ціною від 25.13 грн до 94.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSR025N05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RSR025N05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |