RSR025P03TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.12 грн |
| 10+ | 41.51 грн |
| 100+ | 27.10 грн |
| 500+ | 19.61 грн |
| 1000+ | 17.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025P03TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TSMT3, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RSR025P03TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RSR025P03TL |
|
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| RSR025P03 TL | ROHM | SOT23 |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSR025P03 TL |
Виробник: ROHM
SOT23
SOT23
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)