Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR025P03HZGTL
RSR025P03HZGTL

RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

rsr025p03hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.27 грн
6000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSR025P03HZGTL за ціною від 15.17 грн до 78.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : ROHM rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.91 грн
22+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.23 грн
10+42.23 грн
100+27.55 грн
500+19.91 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf MOSFETs SOT346 P CHAN 30V
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.65 грн
10+48.35 грн
100+27.55 грн
250+26.80 грн
500+21.29 грн
1000+19.33 грн
3000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : ROHM rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.