Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR030N06HZGTL
RSR030N06HZGTL

RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

rsr030n06hzgtl-e.pdf Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+74.28 грн
10+42.90 грн
100+28.77 грн
250+24.39 грн
500+21.37 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RSR030N06HZGTL за ціною від 16.77 грн до 81.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.83 грн
10+46.94 грн
100+30.83 грн
500+22.43 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.63 грн
10+49.83 грн
100+28.51 грн
500+22.08 грн
1000+19.99 грн
3000+17.40 грн
6000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Виробник : ROHM rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.53 грн
16+51.12 грн
100+33.59 грн
500+22.18 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.