RSR030N06HZGTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.60 грн |
| 10+ | 46.80 грн |
| 100+ | 30.73 грн |
| 500+ | 22.36 грн |
| 1000+ | 20.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR030N06HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RSR030N06HZGTL за ціною від 18.60 грн до 81.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSR030N06HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain current: 3A Gate charge: 5nC On-state resistance: 0.105Ω Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RSR030N06HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RSR030N06HZGTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSR030N06HZGTL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 79.48 грн |
| 10+ | 45.87 грн |
| 100+ | 30.11 грн |
| 250+ | 26.00 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| 1000+ | 21.30 грн |
| RSR030N06HZGTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.28 грн |
| 16+ | 50.97 грн |
| 100+ | 33.49 грн |
| 500+ | 22.12 грн |
| 1000+ | 18.60 грн |
| RSR030N06HZGTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET
MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)