Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR030N06HZGTL
RSR030N06HZGTL

RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

rsr030n06hzgtl-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.48 грн
10+45.87 грн
100+30.11 грн
250+26.00 грн
500+23.48 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції RSR030N06HZGTL за ціною від 25.23 грн до 87.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Rohm Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.76 грн
50+39.11 грн
100+32.55 грн
500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL ROHM rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL ROHM rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL rsr030n06hzgtl-e.pdf
RSR030N06HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+52.76 грн
50+39.11 грн
100+32.55 грн
500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL rsr030n06hzgtl-e.pdf
RSR030N06HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR030N06HZGTL rsr030n06hzgtl-e.pdf
RSR030N06HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.