RSS060P05HZGTB

RSS060P05HZGTB Rohm Semiconductor


rss060p05hzgtb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.54 грн
106+114.67 грн
117+104.17 грн
200+83.32 грн
1000+72.10 грн
2000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS060P05HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSS060P05HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 6 A, 0.026 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSS060P05HZGTB за ціною від 61.78 грн до 194.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSS060P05HZGTB RSS060P05HZGTB Виробник : ROHM rss060p05hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RSS060P05HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 6 A, 0.026 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.04 грн
10+119.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSS060P05HZGTB RSS060P05HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RSS060P05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.04 грн
10+158.87 грн
100+127.72 грн
500+98.47 грн
1000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS060P05HZGTB RSS060P05HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RSS060P05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOP8 P CHAN 45V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.08 грн
10+133.04 грн
100+88.47 грн
250+83.93 грн
1000+76.37 грн
2500+73.27 грн
5000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS060P05HZGTB RSS060P05HZGTB Виробник : ROHM rss060p05hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RSS060P05HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 6 A, 0.026 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSS060P05HZGTB RSS060P05HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RSS060P05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.