Продукція > ROHM > RSS065N06FRATB
RSS065N06FRATB

RSS065N06FRATB ROHM

ROHM-S-A0009016462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS065N06FRATB ROHM

Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

Інші пропозиції RSS065N06FRATB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB ROHM Semiconductor rss065n06fratb-e.pdf MOSFETs Nch 60V Vds 6.5A 0.031Rds(on) 11Qg
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB ROHM ROHM-S-A0009016462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS065N06FRATB rss065n06fratb-e.pdf
RSS065N06FRATB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V Vds 6.5A 0.031Rds(on) 11Qg
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSS065N06FRATB ROHM-S-A0009016462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RSS065N06FRATB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.