RSS065N06HZGTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 6.5A POWER MOSFET. RSS06
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSS065N06HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSS065N06HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції RSS065N06HZGTB за ціною від 30.91 грн до 113.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSS065N06HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSS065N06HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSS065N06HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A Automotive 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSS065N06HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSS065N06HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSS065N06HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 6.5A POWER MOSFET. RSS06 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSS065N06HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET AECQ |
на замовлення 5082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSS065N06HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A Automotive 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |