Продукція > ROHM > RSS100N03FRATB
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB ROHM


ROHM-S-A0009016303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS100N03FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.05 грн
500+34.71 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS100N03FRATB ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSS100N03FRATB за ціною від 26.46 грн до 106.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSS100N03FRATB RSS100N03FRATB Виробник : ROHM ROHM-S-A0009016303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSS100N03FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.79 грн
14+60.84 грн
100+44.05 грн
500+34.71 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03FRATB RSS100N03FRATB Виробник : Rohm Semiconductor rss100n03fra-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.44 грн
10+64.06 грн
100+43.08 грн
500+31.66 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03FRATB RSS100N03FRATB Виробник : ROHM Semiconductor rss100n03fra-e.pdf MOSFETs Nch 30V Vds 10A 0.0135Rds(on) 14Qg
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.17 грн
10+71.40 грн
100+41.91 грн
500+33.39 грн
1000+30.02 грн
2500+27.74 грн
5000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03FRATB RSS100N03FRATB Виробник : Rohm Semiconductor rss100n03fra-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.