RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 60.92 грн |
| 250+ | 58.48 грн |
| 500+ | 56.37 грн |
| 1000+ | 52.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSS100N03HZGTB за ціною від 44.33 грн до 179.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSS100N03HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSS100N03HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |