Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSS100N03HZGTB
RSS100N03HZGTB

RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor

rss100n03hzgtb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.77 грн
250+57.38 грн
500+55.30 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSS100N03HZGTB за ціною від 47.25 грн до 186.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor rss100n03hzgtb-e.pdf Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.04 грн
10+105.57 грн
100+71.90 грн
500+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : ROHM rss100n03hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.81 грн
10+115.20 грн
100+78.55 грн
500+53.87 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor rss100n03hzgtb-e.pdf MOSFETs AECQ
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.65 грн
10+119.81 грн
100+69.95 грн
250+69.87 грн
500+56.03 грн
1000+53.28 грн
2500+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rss100n03hzgtb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor rss100n03hzgtb-e.pdf Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03HZGTB RSS100N03HZGTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rss100n03hzgtb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.