Технічний опис RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm.
Інші пропозиції RSS100N03HZGTB за ціною від 52.78 грн до 167.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSS100N03HZGTB | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RSS100N03HZGTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RSS100N03HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm |
на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSS100N03HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 158.72 грн |
| 10+ | 114.26 грн |
| 100+ | 84.65 грн |
| 500+ | 67.56 грн |
| 1000+ | 60.99 грн |
| RSS100N03HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 158.72 грн |
| 124+ | 114.26 грн |
| 168+ | 84.65 грн |
| 500+ | 67.56 грн |
| 1000+ | 60.99 грн |
| RSS100N03HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.38 грн |
| 10+ | 103.42 грн |
| 100+ | 70.37 грн |
| 500+ | 52.78 грн |
| RSS100N03HZGTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RSS100N03HZGTB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
Description: ROHM - RSS100N03HZGTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0133 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)