RSS130N03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 13A; 2W; SOP8; automotive industry
Power dissipation: 2W
Gate charge: 25nC
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 78.58 грн |
| 100+ | 67.09 грн |
| 300+ | 62.90 грн |
| 500+ | 55.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
76 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSS130N03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Description: NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSS130N03HZGTB за ціною від 61.96 грн до 206.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSS130N03HZGTB | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RSS130N03HZGTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RSS130N03HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 206.14 грн |
| 10+ | 128.54 грн |
| 100+ | 88.60 грн |
| 500+ | 67.11 грн |
| 1000+ | 61.96 грн |
| RSS130N03HZGTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)