Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTF010P02TL
RTF010P02TL

RTF010P02TL Rohm Semiconductor

RTF010P02.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.25 грн
100+25.54 грн
500+18.43 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTF010P02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TUMT3.

Інші пропозиції RTF010P02TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTF010P02TL RTF010P02TL Rohm Semiconductor RTF010P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TUMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF010P02TL RTF010P02TL ROHM Semiconductor rohm_s_a0002833002_1-2281693.pdf MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF010P02TL RTF010P02.pdf
RTF010P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TUMT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF010P02TL rohm_s_a0002833002_1-2281693.pdf
RTF010P02TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.